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日本語
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インデックス
11. 創造科学技術大学院 = Graduate School of Science and Technology
静岡大学大学院電子科学研究科研究報告 (1980-2008)
1987 08
Permalink : http://hdl.handle.net/10297/1812
In‐Ga‐Al‐Sb 系混晶の LPE 成長に関する研究
利用統計を見る
File / Name
License
080408041-115.pdf
080408041-115.pdf (56.26KB)
[ 17 downloads ]
080408041.pdf
080408041.pdf (165.98KB)
[ 50 downloads ]
アイテムタイプ
その他 / Others
言語
日本語
タイトル（別言語）
Liguid Phase Epitaxial Growth of the Alloy Semiconductors in In‐Ga‐Al‐Sb System
著者
大島 久純
( wekoID:
1970
, 著者リンク:
26ca5cb6-d444-49c9-812a-492962803c2f
)
雑誌名
静岡大学大学院電子科学研究科研究報告
巻
8
ページ
105 - 106
発行年
1987-03-25
出版者
静岡大学大学院電子科学研究科
NDC
541
注記
博士学位論文の要旨 学位記番号:工博甲第27号
報告番号
甲第28号
ISSN
03885070
NII書誌ID
AN00103168
NDL書誌ID
000000167517
フォーマット
application/pdf
著者版フラグ
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In‐Ga‐Al‐Sb 系混晶の LPE 成長に関する研究
080408041-115.pdf
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