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InAs組成変換基板上への高In組成比InGaAs成長 : エピキタシャル成長IV

永井洋希 , 飯田晋 , 小山忠信 , 熊川征司 , 早川泰弘 , バラクリシュナン
日本結晶成長学会誌,29(2),46-46 (2002-07-01) , 日本結晶成長学会 , （Ｃ）日本結晶成長学会: 本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである

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液相成長法による高品質InGaAs横方向ブリッジ成長

飯田晋
静岡大学大学院電子科学研究科研究報告,22,156-158 (2001-03-30) , 静岡大学大学院電子科学研究科

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Study on the LPE growth of InGaAS pyramidal layers on (100) GaAs substrates

Hayakawa Yasuhiro , Kumagawa Masashi , Balakrishnan K. , Iida Susumu
日本結晶成長学会誌,27(1),42-42 (2000-07-01) , Japanese Association for Crystal Growth , （Ｃ）日本結晶成長学会: 本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである

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Coalescence of ELO layers of InGaAS grown on patterned (111) GaAs by LPE

Hayakawa Yasuhiro , Kumagawa Masashi , Balakrishnan K. , Iida Susumu
日本結晶成長学会誌,27(1),41-41 (2000-07-01) , Japanese Association for Crystal Growth , （Ｃ）日本結晶成長学会: 本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである

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液相成長法による高品質InGaAs横方向ブリッジ成長

飯田晋
(2000-03-24) , 静岡大学

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23aB8 InGaAs/GaAsのブリッジ成長機構の検討(エピタキシャル成長II)

飯田晋 , 小山忠信 , 早川泰弘 , 熊川征司
日本結晶成長学会誌,26(2),93-93 (1999-07-01) , 日本結晶成長学会 , （Ｃ）日本結晶成長学会: 本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである

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窒化シリコン膜付きGaAs基板上へのInGaAs横方向成長(II) : 溶液成長

飯田晋 , 早川泰弘 , 小山忠信 , 熊川征司
日本結晶成長学会誌,25(3),A101-A101 (1998-07-01) , 日本結晶成長学会 , （Ｃ）日本結晶成長学会: 本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである

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窒化シリコン膜付きGaAs基板上へのInGaAs横方向成長

飯田晋 , 早川泰弘 , 南里江 , 小山忠信 , 熊川征司
日本結晶成長学会誌,24(2),228-228 (1997-07-01) , 日本結晶成長学会 , （Ｃ）日本結晶成長学会: 本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである

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液相成長法による溝付きGaAs基板上へのInGaAs横方向成長 : 半導体液相成長I

熊川征司 , 菊澤充男 , 柳田浩行 , 飯田晋 , 小山忠信 , 早川泰弘
日本結晶成長学会誌,22(3),254-254 (1995-07-10) , 日本結晶成長学会 , （Ｃ）日本結晶成長学会: 本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである

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