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アイテム
VGF法による化合物半導体結晶成長時の融液内対流制御に関する数値解析: バルク成長III
http://hdl.handle.net/10297/4755
http://hdl.handle.net/10297/475566b76295-4896-488f-ac95-cfa647c3e67f
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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100224006.pdf (98.3 kB)
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| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article_01(1) | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2010-02-24 | |||||||
| タイトル | ||||||||
| タイトル | VGF法による化合物半導体結晶成長時の融液内対流制御に関する数値解析: バルク成長III | |||||||
| 言語 | ||||||||
| 言語 | jpn | |||||||
| 資源タイプ | ||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||
| タイトル（別言語） | ||||||||
| その他のタイトル | Numerical study on the control of melt convection during crystal growth of the compound semiconductor by the VGF method | |||||||
| 著者 |
近藤, 宏樹
× 近藤, 宏樹× 酒井, 奨× 岡野, 泰則
WEKO
2519
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| 書誌情報 |
日本結晶成長学会誌 巻 27, 号 1, p. 79-79, 発行日 2000-07-01 |
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| 出版者 | ||||||||
| 出版者 | 日本結晶成長学会 | |||||||
| 権利情報 | ||||||||
| 権利情報 | 日本結晶成長学会: 本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである | |||||||
| NDC | ||||||||
| 主題Scheme | NDC | |||||||
| 主題 | 459 | |||||||
| ISSN | ||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||
| 収録物識別子 | 03856275 | |||||||
| NII論文ID | ||||||||
| 関連タイプ | isIdenticalTo | |||||||
| 識別子タイプ | NAID | |||||||
| 関連識別子 | 110002715298 | |||||||
| NII書誌ID | ||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||
| 収録物識別子 | AN00188386 | |||||||
| フォーマット | ||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||
| 内容記述 | application/pdf | |||||||
| 著者版フラグ | ||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||
